抛光机多少钱一台（美国再次阻挠）(打磨抛光机多少钱一台)

在之前，中国曾向荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）支付1.5亿美元，购买ASML的EUV极紫外光刻机，然而，在美国的压力下，荷兰没有签发出口给中国的许可证，最终没有卖给中国。

最近，中国一直在向荷兰方面努力，希望ASML向中国企业出售一款180吨重的“极紫外光微影系统”，然而遭到了美国的再次阻挠，中国购买极紫外光刻机的想法彻底宣告破产。

既然购买无望，那么纯国产替代可能吗？

极紫外光刻机是什么

目前，中国定下的目标是2030年实现量产极紫外光刻机，在这里和大家普及一下光刻机的知识，什么7nm光刻机、5nm光刻机，其实这样的说法是不准确的。

光刻机以光源的改变，共经历了5代的发展，其中第四代光刻机又分为第四代步进投影式光刻机和第四代浸没式投影光刻机。

以第四代浸没式光刻机来说，因为第四代步进投影式光刻机只能将芯片的工艺节点提升到65nm，所以台积电的林本坚提出在晶圆光刻胶上方加 1mm 厚的水。 水可以把 193nm 的光波长折射成 134nm，这样就可以造65nm以下制程芯片，极限是7nm。

第四代浸没式光刻机可以造28nm芯片，也可以造7nm芯片，说它是28nm光刻机也没毛病，说7nm光刻机也没错。 而EUV极紫外光刻机目前来说，它的工艺极限是1nm，所以如果我们买回来一台极紫外光刻机，在突破1nm制程之前我们都不需要发愁。

中国光刻机巨头上微已经掌握了第四代步进扫描投影式光刻机，浸没式光刻机还处于论证量产阶段。

极紫外光刻机有多难

EUV极紫外光刻机的攻关工作则在有序展开，作为第五代光刻机，极紫外光刻机在光源技术、光学系统、极紫外多层膜技术、 反射式掩模技术、超高精度控制技术、抗蚀剂技术、光学元件加工与检测技术等方面都与传统的光学光刻有着本质的区别，这也是为什么它这么贵的原因。

虽然极紫外光刻机研发难度很高，但ASML背后有人啊，英特尔、三星、台积电等著名半导体大厂都是ASML的股东，可以给他提供技术、人才支持，像第四代浸没式光刻机就是台积电林本坚提出的方案。

而EUV技术则是英特尔和美国能源部牵头，集合了当时还如日中天的摩托罗拉以及 AMD，以及享有盛誉的美国三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔实验室，劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室，集合几百位顶级科学家成立了 EUV LLC组织，从理论上验证 EUV 量产的可能性。 ASML则成为了EUV的实践者。 在将方案量产的阶段，ASML可以获取到全球各个国家最顶级的设备、零件，所以我们不是和一个企业在PK，我们是和一个发达国家联盟在角力。

中国因为封锁的原因，就只能自己造，所以基于这两个原因，进度就很慢。 工件台和投影物镜、光源并称为光刻机的三大核心子系统。 其中光刻机光源是中科院光电研究院的项目,由北京科益虹源负责产业转化。 而工作台则是华卓精科在攻关，全世界仅ASML掌握的双工作台技术，华卓精科已经掌握，投影物镜、光源则是长春光机所在搞，长春光机所成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台。

那2030年实现量产极紫外光刻机，会不会太慢了呢？随着芯片制程越来越小，技术难度越来越高，摩尔定律放缓，ASML的第二代EUV系统预期2024年问世，2030年实现1.5nm光刻 。 这也就意味着中国即使在2030年量产EUV极紫外光刻机，也不会产生代际的差距。

这对于中国而言是一个非常好的机会。

总结

很多人担心，缺少极紫外光刻机的这几年，国内芯片需求如何满足，大家可能并不知道的就是，2020年底，10nm以下的产能也只占IC行业总晶圆产能的10%，10-20nm制程仍然是主流，占据了38.4%。 事实上除了手机处理器等一些芯片之外，像电脑芯片、汽车芯片、国防科技芯片等都对制程要求不高，中国只要掌握了第四代浸没式光刻机基本上就能应付国内市场大部分的芯片需求。

不过，一条芯片产线并不仅仅只是光刻机，单晶硅片制造需要单晶炉等设备,IC制造需要扩散炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、化学机械抛光机、清洗机等六大类设备。

芯片制造工艺复杂，晶圆代工厂即使拥有最先进的设备，如果没有掌握相关的制程工艺，也是白费。 就好像一套厨具，不同厨师使用效果是不一样的。 所以中国如果想要建成一条纯国产的7nm产线，依然有很长的路要走，而这需要中国所有半导体厂商一起合作，构建完善的半导体生态产业链，才能够实现。

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