传上海微电子研发出11nm光刻机，请问是真的吗？有谁知道？

据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机，并且次光刻机在经过多次曝光之后，可以制造出11纳米制程的芯片。 目前来看，这个消息应该是真的。 也就是说，国内在2021年，就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。 虽说，还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比，但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。

按光源来分的话，光刻机已经发展了五代。 第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机，其制程工艺节点为800纳米-250纳米；第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机，其制程工艺节点也是800纳米-250纳米；第三代采用波长为248纳米的KRF光源的光刻机，其制程工艺节点为180纳米-130纳米；第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机，其制程工艺节点为130纳米-65纳米，45纳米-22纳米；第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机，其制程节点为22纳米-7纳米。

而上海微电子将在2021年交付的也就是第四代光刻机，制程工艺节点为28纳米。 其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机，迄今过去了13年。 经过14年的发展，再次拿出第四代光刻机也是很正常的。 虽说，我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源，但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的，最明显的例子就是KBBF晶体。

另外光刻机比较重要的镜头，国内也是可以自制的。 长春光机所于2016年研发出了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统。 清华大学也在2014年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm，4.7nm。 所以说，光刻机最重要掩膜台和工作台，镜头组，光源都可以由国内单位自己制造出来，那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么可怀疑的。 只是在明年交付之后，芯片的良品率并不会一下子就上去，还要过段时间才可以提升上去。

另外，上海微电子即将交付的光刻机，在经过多次曝光之后，制程工艺还可以提高到11纳米。 这样一来，对那些芯片并不急需，但要求制程工艺的公司来说，也是一个好消息。 毕竟国内有了这种光刻机，就不必在受到国外的制裁了。 对于EUV光源，我国还需要加大研发力度，争取早日取得突破。 只要光源突破之后，那剩下的就没有什么太大的难题了

由此可知，上海微电子交付28纳米制程工艺的光刻机有较大意义。

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